バルク結晶成長技術

著者

• 干川, 圭吾 ホシカワ, ケイゴ

書誌事項

バルク結晶成長技術

干川圭吾編著

（アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリー1 . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 4）

培風館, 1994.5

タイトル読み

バルク ケッショウ セイチョウ ギジュツ

注記

執筆者: 山岸浩利ほか

各章末: 参考文献

内容説明・目次

目次

• 第１編　シリコン結晶成長技術（シリコン結晶成長技術の進展；ＣＺ法シリコン結晶中の欠陥核形成；酸素濃度制御と磁界技術；連続充填引上げ法；二層引上げ法；融液対流とシミュレーション技術）
• 第２編　化合物半導体結晶成長技術（液体封止引上げ法；水平ブリッジマン法；垂直ブリッジマン法；２‐６族結晶成長法）
• 第３編　酸化物結晶成長技術（引上げ法；融液成長法；溶液成長法；対流、熱流シミュレーション）

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BN10742944
• ISBN:
  • 4563036048
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: xiv, 367p
• 大きさ: 22cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
• 件名:
  • NDLSH : 半導体
  • NDLSH : 結晶成長
• 親書誌ID:
  • BN10717539