バルク結晶成長技術

Author(s)

• 干川, 圭吾 ホシカワ, ケイゴ

Bibliographic Information

バルク結晶成長技術

干川圭吾編著

（アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリー1 . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 4）

培風館, 1994.5

Title Transcription

バルク ケッショウ セイチョウ ギジュツ

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• バルク結晶成長技術

  1994

  NDL Digital Collections

  Limited

Note

執筆者: 山岸浩利ほか

各章末: 参考文献

Description and Table of Contents

Table of Contents

• 第１編　シリコン結晶成長技術（シリコン結晶成長技術の進展；ＣＺ法シリコン結晶中の欠陥核形成；酸素濃度制御と磁界技術；連続充填引上げ法；二層引上げ法；融液対流とシミュレーション技術）
• 第２編　化合物半導体結晶成長技術（液体封止引上げ法；水平ブリッジマン法；垂直ブリッジマン法；２‐６族結晶成長法）
• 第３編　酸化物結晶成長技術（引上げ法；融液成長法；溶液成長法；対流、熱流シミュレーション）

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Details

• NCID: BN10742944
• ISBN:
  • 4563036048
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: xiv, 367p
• Size: 22cm
• Classification:
  • NDC8 : 549.8
• Subject Headings:
  • NDLSH : 半導体
  • NDLSH : 結晶成長
• Parent Bibliography ID:
  • BN10717539