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最新VLSIの基礎

Yuan Taur (陶元), Tak H. Ning (甯徳雄)著 ; 芝原健太郎, 宮本恭幸, 内田建監訳

丸善出版, 2013.1

第2版

タイトル別名

Fundamentals of modern VLSI devices

タウア・ニン最新VLSIの基礎

タイトル読み

サイシン VLSI ノ キソ

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注記

原著の演習問題を除いた翻訳

文献: p[687]-708

内容説明・目次

内容説明

初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。

目次

  • 序章
  • デバイス物理の基礎
  • MOSFETデバイス
  • CMOSデバイス設計
  • CMOS性能因子
  • バイポーラデバイス
  • メモリデバイス
  • SOIデバイス〔ほか〕

「BOOKデータベース」 より

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