サブミクロンデバイス

著者

• 小柳, 光正 コヤナギ, ミツマサ

書誌事項

サブミクロンデバイス

小柳光正著

（電子材料シリーズ）

丸善, 1987.7-1988.1

• 1
• 2

タイトル読み

サブ ミクロン デバイス

電子リソースにアクセスする 全2件

• サブミクロンデバイス (1)

  1987

  NDLデジタルコレクション

  限定公開

• サブミクロンデバイス (2)

  1988

  NDLデジタルコレクション

  限定公開

注記

各章末:文献

内容説明・目次

巻冊次

1 ISBN 9784621031834

内容説明

ＶＬＳＩはサブミクロンの時代に入った。現在すでに開発研究も行われ、量産の開始も目前に迫っている。しかし、二次元効果や高電界化の問題、さらには、高集積化されたデバイスの信頼性の確保など、問題点は尽きない。本書では、これらの問題を、ショートチャネルＭＯＳトランジスタの動作原理より説き起こし、サブミクロンデバイスを基礎から本格的に解説しています。

目次

• １　ＭＯＳデバイスの基礎（ＭＯＳトランジスタの概要；長チャネルＭＯＳトランジスタの動作原理；短チャネルＭＯＳトランジスタの動作原理）
• ２　ＶＬＳＩの基礎（ＶＬＳＩの基本回路；ＶＬＳＩ回路）
• ３　サブミクロンデバイス（微細形状効果；ＣＭＯＳデバイスとラッチアップ）

巻冊次

2 ISBN 9784621032381

内容説明

ＶＬＳＩデバイスは、今日ますます微細化し、ついにサブミクロンの時代に入ったといえよう。それにともないＶＬＳＩデバイスはここにきて、数々の深刻な問題と直面することとなった。本書は、先に刊行された「サブミクロンデバイス１」の続編として、サブミクロンデバイスの抱える最重要課題を根底から詳説するものである。サブミクロンデバイスを本格的に学ぼうとする者にとって、まさに最良の師となる１冊である。

目次

• １　序論
• ２　比例縮小則とデバイス性能
• ３　ゲート絶縁膜の信頼性（ＳｉＯ２膜の電気伝導；界面準位の発生とトラップ；ＳｉＯ２膜の絶縁破壊）
• ４　ホットキャリア注入現象（ＮＭＯＳトランジスタのホットキャリア現象；ＰＭＯＳトランジスタのホットキャリア現象；基板中への少数キャリア注入；高耐圧、高信頼性ＭＯＳトランジスタ）
• ５　ソフトエラー（α線による雑音電荷の発生とソフトエラー；ＤＲＡＭにおけるソフトエラー）

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BN01166117
• ISBN:
  • 462103183X
  • 4621032380
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: 2冊
• 大きさ: 22cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.7
  • NDC7 : 549.8
• 件名:
  • BSH : 集積回路
  • NDLSH : 集積回路
• 親書誌ID:
  • BN00201165