表面新物質とエピタクシー

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表面新物質とエピタクシー

日本物理学会編

培風館, 1992.12

タイトル読み

ヒョウメン シンブッシツ ト エピタクシー

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注記

編集委員: 井野正三ほか

執筆者: 井野正三ほか

各章末: 参考文献

内容説明・目次

内容説明

本書では、エピタクシーの最近までの発展経過を簡単に述べ、表面構造や表面の相転移について説明したのち、エピタクシー過程の代表的な研究方法と、それから得られる情報について解説する。つぎに、次世代のエレクトロニクスを担う代表的な材料である半導体、金属、酸化物超伝導体、ダイヤモンド等をとり上げ、そのエピタクシャル成長や薄膜の制御方法、薄膜の物性について、最近の発展を中心に説明する。

目次

  • 1 エピタクシー研究の歴史
  • 2 表面の理論
  • 3 表面の相転移
  • 4 GaAs表面および吸着層
  • 5 金属およびSi表面におけるアルカリ金属吸着
  • 6 走査トンネル顕微鏡と半導体表面の理論
  • 7 走査トンネル顕微鏡によるSi表面の観察
  • 8 電子顕微鏡法による表面構造の解析
  • 9 電子顕微鏡によるエピタクシャル成長のその場観察
  • 10 RHEEDの強度振動とエピタクシーの制御
  • 11 電子線、X線分光によるエピタクシーの解析
  • 12 イオン散乱分光によるエピタクシーのその場解析
  • 13 半導体薄膜のエピタクシーとその制御
  • 14 金属の多層膜の生成とその物性
  • 15 酸化物超伝導体のエピタクシーとその表面・界面
  • 16 気相からのダイヤモンド成長とエピタクシー

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BN08417135
  • ISBN
    • 4563022128
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    vi, 262p, 図版2p
  • 大きさ
    22cm
  • 分類
  • 件名
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