シリコン : 結晶成長とウエーハ加工
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シリコン : 結晶成長とウエーハ加工
（アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリーI . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 5）
培風館, 1994.5
- タイトル読み
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シリコン : ケッショウ セイチョウ ト ウエーハ カコウ
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内容説明・目次
内容説明
本書は、現在までのシリコン結晶の大直径化およびデバイスプロセスにおける高度な品質管理技術の歴史を振り返りながら、単結晶シリコン製造法の実際とデバイスプロセス中に発生する種々の技術的問題について検証し、さらに今後予想されるギガビット級Ｄ‐ＲＡＭなどのデバイスに要求されるウェーハ開発のための技術に至るまでを詳述した解説書である。
目次
- １ シリコン結晶と技術革新—過去から現在まで
- ２ なぜシリコン単結晶が必要か
- ３ シリコン単結晶成長
- ４ ウェーハ加工
- ５ シリコン融液からの結晶成長
- ６ 添加不純物の偏析現象
- ７ 軽元素の偏析と結晶中の振る舞い
- ８ 酸素析出
- ９ 熱処理と転位（スリップ）の発生
- １０ 重金属の偏析と結晶中の振る舞い
- １１ 点欠陥と二次欠陥
- １２ シリコンウェーハの表面
- １３ ＵＬＳＩのための貼り合わせＳＯＩ技術
「BOOKデータベース」 より