III-V族化合物半導体
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III-V族化合物半導体
(アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリーI . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ・ブッセイ・デバイス ; 1)
培風館, 1994.5
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III-Vゾク カゴウブツ ハンドウタイ
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執筆者: 赤井慎一 [ほか]
参考文献: 各章末
Description and Table of Contents
Description
本書は、多種の化合物半導体の中で、最もよく研究され、また現在、光デバイスや超高速デバイスの中心を占める3‐5族化合物半導体について、物性と技術の現状をまとめたものである。
Table of Contents
- 第1編 3‐5族の結晶成長(バルク結晶成長;LPE;気相エピタキシャル成長;MOVPE;分子線エピタキシャル成長法;ALE)
- 第2編 3‐5族化合物の物性(バルク物性;表面・界面の物性)
- 第3編 材料・デバイス(各論)
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