分子線エピタキシー

著者

• 権田, 俊一 ゴンダ, シュンイチ

書誌事項

分子線エピタキシー

権田俊一編著

（アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリーI . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 10）

培風館, 1994.11

タイトル読み

ブンシセン エピタキシー

注記

参考文献: 各章末

内容説明・目次

内容説明

分子線エピタキシーは、超精密制御が可能な結晶成長技術として、先端デバイスの研究開発に大きな展開をもたらしている。本書は、その基礎的事項から電子・光・量子効果等各種デバイスへの応用までの最新の成果を盛り込んで詳述した、総合的な解説書である。

目次

• １　分子線エピタキシー概論
• ２　固体ソースＭＢＥ—装置と成長過程
• ３　ガスソースＭＢＥ—装置と成長過程
• ４　ＭＢＥにおけるその場計測
• ５　Ｓｉ系ＭＢＥ
• ６　３‐５族化合物半導体のＭＢＥ
• ７　２‐６族化合物半導体のＭＢＥ
• ８　金属・半金属・磁性体のＭＢＥ
• ９　電子デバイスへの応用—高電子移動度トランジスタ
• １０　光デバイスへの応用
• １１　量子デバイスへの応用

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BN11608517
• ISBN:
  • 4563036102
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: viii, 349p
• 大きさ: 22cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
  • NDLC : ND371
• 件名:
  • BSH : 半導体
  • BSH : 結晶成長
• 親書誌ID:
  • BN10717539