III-V族化合物半導体

著者

• 赤崎, 勇 アカサキ, イサム

書誌事項

III-V族化合物半導体

赤崎勇編著

（アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリーI . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ・ ブッセイ ・ デバイス ; 1）

培風館, 1994.5

タイトル読み

III-Vゾク カゴウブツ ハンドウタイ

注記

執筆者: 赤井慎一ほか

各章末: 参考文献

内容説明・目次

内容説明

本書は、多種の化合物半導体の中で、最もよく研究され、また現在、光デバイスや超高速デバイスの中心を占める３‐５族化合物半導体について、物性と技術の現状をまとめたものである。

目次

• 第１編　３‐５族の結晶成長（バルク結晶成長；ＬＰＥ；気相エピタキシャル成長；ＭＯＶＰＥ；分子線エピタキシャル成長法；ＡＬＥ）
• 第２編　３‐５族化合物の物性（バルク物性；表面・界面の物性）
• 第３編　材料・デバイス（各論）

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BN10743233
• ISBN:
  • 4563036013
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: xii, 353p
• 大きさ: 22cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
• 件名:
  • NDLSH : 半導体
• 親書誌ID:
  • BN10717539